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碳化硅微粉常用加热氧化法除碳
文章出处：金岭环保点击率：发布时间：17-08-12
茄子丝瓜榴莲草莓榴莲进在线观看通过对碳化硅微粉进行高温煅烧，使碳化硅微粉中的游离碳及石墨与空气中的氧气反应，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脱离碳化硅，从而实现了除碳的目的。
我公司利用高温煅烧出去碳化硅微粉中的碳杂质。该方法的最佳工艺条件为煅烧温度为900℃，煅烧时间为3小时，碳化硅内部的碳杂质得到了完全去除。
茄子丝瓜榴莲草莓榴莲进在线观看以空气为氧化介质进行碳化硅微粉与碳杂质的分离，实验结果表明：当氧化温度在450-560℃之间，氧化时间在4小时，杂志碳的去除率可以达到98.6%-99.2%。
通过实验分析可知，在一定的温度及时间范围内，加热氧化法对碳化硅微粉中的碳杂质去除率可达98%，但由于粒径为微粉级的碳化硅表面积大，如果加热温度过高，易造成碳化硅微粉的表面氧化，形成的氧化薄膜二氧化硅可能将碳微粉包裹，从而不利于碳杂质的去除。
上一个： 绿碳化硅需高纯度原材料生产
